
Данная установка плазмохимического осаждения из газовой фазы (PECVD) использует плазменную активацию технологических газов для осаждения тонких плёнок при низких температурах, позволяя наносить диэлектрические, пассивирующие и оптические покрытия из SiO₂, SiNₓ и аморфного кремния без необходимости высокотемпературного нагрева.
Данная установка плазмохимического осаждения из газовой фазы (PECVD) использует плазменную активацию технологических газов для осаждения тонких плёнок при низких температурах, позволяя наносить диэлектрические, пассивирующие и оптические покрытия из SiO₂, SiNₓ и аморфного кремния без необходимости высокотемпературного нагрева. Установка оснащена модульной вакуумной камерой, высокоточной газораспределительной системой и полностью автоматизированной системой терморегулирования. Осаждаемые плёнки отличаются высокой однородностью и плотностью, низкими механическими напряжениями, превосходной шаговой покрывающей способностью, стабильной и контролируемой скоростью осаждения. Оборудование адаптировано для работы с различными типами подложек, включая кремниевые пластины, стекло и гибкие основания.
Установка проста в эксплуатации, оснащена интеллектуальной системой управления с функцией однокнопочного сохранения технологических параметров, имеет многоуровневую защиту по вакууму и газовой магистрали, отличается низкими эксплуатационными затратами. Широко применяется в производстве полупроводниковых чипов, фотоэлектрических элементов, дисплейных панелей, микроэлектромеханических систем (MEMS) и оптических компонентов, обеспечивая технологическую совместимость и стабильность серийного выпуска. Является ключевым оборудованием для процессов нанесения тонких плёнок.